7月25日，中國(guó)南車株洲所首家海外功率半導(dǎo)體研發(fā)中心在英國(guó)順利落成，這也是我國(guó)軌道交通裝備制造企業(yè)首個(gè)海外高端器件研發(fā)中心。

　　以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是軌道交通裝備關(guān)鍵技術(shù)之一，被業(yè)界認(rèn)為是現(xiàn)代機(jī)車車輛的“CPU”，它廣泛應(yīng)用于軌道交通、航空航天、船舶驅(qū)動(dòng)、新能源等行業(yè)。

　　株洲所掌握了最先進(jìn)的半導(dǎo)體器件全壓接技術(shù)，產(chǎn)品品種涵蓋單一整流管、集整流管、晶閘管、快速整流管、快速晶閘管、GTO、IGCT等多個(gè)系列。產(chǎn)品電流等級(jí)從200安發(fā)展到10000安，電壓等級(jí)從600伏發(fā)展到8500伏，具有廣泛的適應(yīng)性。2006年，株洲所自主研制出世界上第一只直徑最大、容量最大的6英寸晶閘管，使我國(guó)80萬(wàn)伏超高壓直流輸電成為現(xiàn)實(shí)，輸電能力提高60%。2008年，完成對(duì)世界著名功率半導(dǎo)體器件企業(yè)英國(guó)丹尼克斯半導(dǎo)體公司的并購(gòu)，并將其4英寸IGBT芯片生產(chǎn)線改造為6英寸生產(chǎn)線。同時(shí)，在株洲完成了國(guó)內(nèi)第一條高壓IGBT封裝線的建設(shè)。2011年，規(guī)劃啟動(dòng)了國(guó)內(nèi)首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，項(xiàng)目建成后，率先成為國(guó)內(nèi)首家集IGBT芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝及測(cè)試、系統(tǒng)應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

　　本次落成的海外功率半導(dǎo)體研發(fā)中心，以中長(zhǎng)期項(xiàng)目(二至三年以上的市場(chǎng)項(xiàng)目)為研發(fā)重點(diǎn)，研發(fā)內(nèi)容涉及基礎(chǔ)研究、工藝改進(jìn)、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和平臺(tái)建設(shè)，承擔(dān)新一代IGBT技術(shù)開(kāi)發(fā)，新一代HVDC晶閘管和碳化硅技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)工作，其取得的知識(shí)產(chǎn)權(quán)將由中國(guó)南車和丹尼克斯共同擁有。此舉將支撐并引領(lǐng)中國(guó)南車大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展，完善并提升其技術(shù)鏈，對(duì)今后IGBT芯片技術(shù)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)行人才儲(chǔ)備也具有里程碑意義。